前言

充電頭網(wǎng)詳細(xì)總結(jié)了2023年6月至10月期間，涵蓋了四家主要氮化鎵制造企業(yè)的行業(yè)近況新聞事件，這份報(bào)告提供了深入洞察這個(gè)具有關(guān)鍵意義的領(lǐng)域的發(fā)展動(dòng)態(tài)，通過(guò)對(duì)每家企業(yè)的事件以及狀況進(jìn)行深入分析，可為用戶(hù)提供關(guān)于氮化鎵產(chǎn)業(yè)近況的全面了解。

以下排名不分先后，按照品牌首字母排序。

行業(yè)近況

Danxitech 氮矽

氮矽科技推出120/240W GaN適配器方案

氮矽科技120W GaN適配器方案

氮矽科技120W GaN適配器方案，主控IC采用的是TEA2017+NCP4318B，搭配DXC1065S2C/DX65F130。

主要參數(shù)

尺寸：96.51*46.62*21.38mm

效率：94.40%@230V 50Hz

功率密度：1.24W/cm3

GaN型號(hào)：DXC1065S2C/DX65F130

封裝：DFN5*6/DFN8*8

氮矽科技240W GaN適配器方案

氮矽科技240W GaN適配器方案，主控IC采用的是TEA2017+NCP4318B，搭配DXC1065S2C/DX65F080。

主要參數(shù)

尺寸：146.33*56.14*25.59mm

效率：94.81%@230V 50Hz

功率密度：1.14W/cm3

GaN型號(hào)：DXC1065S2C/DX65F080

封裝：DFN5*6/DFN8*8

氮矽科技對(duì)氮化鎵功率器件研究進(jìn)展與應(yīng)用

功率氮化鎵產(chǎn)業(yè)技術(shù)路線(xiàn)分為D-mode HEMT 和 E-mode HEMT兩大流派。D-mode HEMT路線(xiàn)將一顆D-mode HEMT與一顆LV Si MOSFET采用Cascode方式相連，代表公司有Transphorm,、PI、鎵未來(lái)等。E-mode HEMT路線(xiàn)則只使用一顆E-Mode HEMT晶體管（常使用p-GaN gate方式實(shí)現(xiàn)），代表公司有GaN system、Navitas、松下、英諾賽科，氮矽科技、英飛凌等。

展開(kāi)全文

隨著功率氮化鎵市場(chǎng)的不斷開(kāi)闊，氮化鎵市場(chǎng)迎來(lái)了蓬勃發(fā)展，市場(chǎng)規(guī)模也在逐步擴(kuò)大，預(yù)計(jì)2027年達(dá)到20億美元，涉及消費(fèi)者、汽車(chē)、工業(yè)、能源等多個(gè)領(lǐng)域。

快充領(lǐng)域作為當(dāng)前功率氮化鎵的最主要的應(yīng)用領(lǐng)域之一，在未來(lái)數(shù)年仍具有廣闊的市場(chǎng)空間。除了快充市場(chǎng)外，功率氮化鎵在家電、電源適配器、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車(chē)、鋰電池等領(lǐng)域同樣具有巨大的潛在應(yīng)用市場(chǎng)。

氮矽科技作為一家專(zhuān)注功率氮化鎵功率器件及驅(qū)動(dòng)器研發(fā)和銷(xiāo)售的公司，旗下?lián)碛胁煌盗械男酒a(chǎn)品，分別為氮化鎵晶體管系列、氮化鎵驅(qū)動(dòng)系列、氮化鎵集成驅(qū)動(dòng)系列，還可以提供快充、電源適配器、TV電源等領(lǐng)域的解決方案。

在氮化鎵快充市場(chǎng)中，僅進(jìn)入其中的知名智能手機(jī)品牌就有小米、OPPO、華為、三星、蘋(píng)果等，按國(guó)內(nèi)每年超3億部手機(jī)出貨量來(lái)匯算，芯片需求量超百億顆，不少?gòu)S商布局其中。氮矽科技的多款產(chǎn)品中，僅高壓650V器件在2023年第一季度的出貨量就達(dá)500W顆，在業(yè)內(nèi)遙遙領(lǐng)先。

氮矽科技推出TO247封裝并集成驅(qū)動(dòng)的氮化鎵器件，攜手淶頓科技和安科訊達(dá)成戰(zhàn)略合作

氮矽DXC3065S2TB集成驅(qū)動(dòng)器件助力新款氮化鎵微型逆變器

DXC3065S2TB作為氮矽科技PIIP? GaN系列產(chǎn)品的最新力作，將在此次合作中作為新款氮化鎵微型逆變器的核心功率器件。DXC3065S2TB采用TO247—4封裝，內(nèi)置 650V 耐壓，80m Ω 導(dǎo)阻，最大漏源極電流30A的增強(qiáng)型氮化鎵晶體管，集成驅(qū)動(dòng)器的開(kāi)關(guān)速度超10MHz，具有零反向恢復(fù)損耗。

DXC3065S2TB規(guī)格書(shū)圖

區(qū)別于PIIP? GaN系列的其他產(chǎn)品，氮矽DXC3065S2TB首次在TO系列封裝工藝上采用了埋阻封裝，通過(guò)將上拉電阻集成到TO247封裝內(nèi)，在節(jié)省了PCB占板面積的同時(shí)保證了開(kāi)關(guān)波形的穩(wěn)定，此外由于埋阻工藝可以有效減小寄生電感和寄生電阻，具有高可靠性和高效率的特點(diǎn)。

DXC3065S2TB內(nèi)部電路框圖

支持0~18V的寬電壓輸入范圍

DXC3065S2TB的PWM輸入（IN）電壓范圍為0~18V，幾乎兼容市面所有的PWM控制器的輸出，為電源設(shè)計(jì)人員提供了極大的便利。

支持UVLO欠壓鎖定功能

DXC3065S2TB的UVLO 閾值為 3.8V，當(dāng)供電電壓VDD低于UVLO時(shí)，內(nèi)部電路處于待機(jī)狀態(tài)，直到VDD達(dá)到啟動(dòng)電壓，該功能有效避免了由于電源電壓的波動(dòng)導(dǎo)致器件誤開(kāi)啟失效的問(wèn)題，這也是PIIP? GaN具備高可靠性的主要原因之一。

更高效的能源轉(zhuǎn)化

DXC3065S2TB可以充分發(fā)揮氮化鎵器件高頻和零反向恢復(fù)的優(yōu)勢(shì)，最大程度地提高能源的轉(zhuǎn)換效率，減少能源損耗。

氮矽科技AC-DC氮化鎵集成芯片，為高效電源解決方案注入新活力

DXP8001FA為高效電源解決方案注入新活力

DXP8001FA是一款高度集成的650V、165mΩ GaN AC-DC功率轉(zhuǎn)換芯片，它通過(guò)將高壓GaN與AC-DC控制芯片集成在一起，有效降低了電路設(shè)計(jì)和調(diào)試的難度。這款芯片的優(yōu)勢(shì)在于它可以簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)、減小PCB占板面積，并降低產(chǎn)品調(diào)試的難度。除此之外，它還具有寬VCC工作電壓范圍(9V-85V)，可以覆蓋3.3V-21V的PD/PPS輸出范圍，且無(wú)需額外的VCC繞組或線(xiàn)性降壓電路。這些特點(diǎn)使得DXP8001FA成為高效、緊湊、高性?xún)r(jià)比的功率轉(zhuǎn)換解決方案。

DXP8001FA應(yīng)用原理圖

DXP8001FA具有高效、穩(wěn)定、低損耗、易于使用的特點(diǎn)，有效提升了應(yīng)用工程師的使用體驗(yàn)：

1、完善的各項(xiàng)保護(hù)及自動(dòng)恢復(fù)功能

VCC過(guò)壓/輸出過(guò)壓保護(hù)

當(dāng)VCC或輸出電壓超過(guò)預(yù)設(shè)閾值時(shí)，過(guò)壓保護(hù)電路會(huì)立即采取行動(dòng)。會(huì)立即停止芯片驅(qū)動(dòng)輸出并進(jìn)入重啟模式。這種保護(hù)措施可以有效避免電路中的元器件過(guò)載或損壞，從而避免電路故障或火災(zāi)等危險(xiǎn)情況的發(fā)生。

發(fā)生保護(hù)，停止驅(qū)動(dòng)輸出,開(kāi)始進(jìn)入Restart過(guò)程

OPP （過(guò)功率）保護(hù)

通過(guò)監(jiān)測(cè)COMP電壓，OPP保護(hù)電路判定功率是否超過(guò)設(shè)定值并采取相應(yīng)的保護(hù)措施。當(dāng)COMP電壓超過(guò)VOPP并持續(xù)42ms以上時(shí)，芯片判定為OOP保護(hù)并進(jìn)入重啟模式。此保護(hù)措施能有效保護(hù)設(shè)備免受電流過(guò)載、短路等多種故障影響，增加產(chǎn)品可靠度與使用壽命。

BROWN IN

在系統(tǒng)啟動(dòng)過(guò)程中，PWM控制器會(huì)發(fā)送一系列的脈沖進(jìn)行各種檢測(cè)，其中一項(xiàng)就是BROWN IN檢測(cè)。在這個(gè)階段，如果從FB PIN流出的電流大于IBIN（~95UA），那么芯片就會(huì)判定BROWN IN認(rèn)定條件已經(jīng)滿(mǎn)足，然后進(jìn)行正常的啟動(dòng)過(guò)程。如果在 BROWN IN檢測(cè)階段未滿(mǎn)足這個(gè)條件，那么在發(fā)送一系列窄脈沖之后，芯片將會(huì)重啟。

BROWN OUT

在芯片的正常工作過(guò)程中，當(dāng)原邊MOS管導(dǎo)通時(shí)，會(huì)檢測(cè)FB引腳的電流。如果該電流小于IBNO（~85UA），并且持續(xù)時(shí)間≥42毫秒，那么芯片將判斷VBULK電壓過(guò)低，發(fā)生BROWN OUT現(xiàn)象。在這種情況下，芯片將驅(qū)動(dòng)輸出并進(jìn)入重啟過(guò)程。

CS短路保護(hù)

如果GaN管導(dǎo)通3.6微秒后，CS電壓仍未達(dá)到VCS_Sh（-50MV）閾值，那么芯片將被迫關(guān)閉驅(qū)動(dòng)器。如果這種情祝在連續(xù)三個(gè)周期內(nèi)出現(xiàn)，芯片將進(jìn)入保護(hù)和重啟模式。可以保證芯片的安全和可靠性，并防止進(jìn)一步的故障發(fā)生。

發(fā)生保護(hù)，停止驅(qū)動(dòng)輸出，開(kāi)始進(jìn)入Restart過(guò)程

除了上述保護(hù)機(jī)制，DXP8001FA還提供了其他重要的芯片保護(hù)機(jī)制，包括輸出同步整流短路保護(hù)、過(guò)溫保護(hù) (OTP)以及逐周期最大電流限制等。這些保護(hù)機(jī)制有助于確保芯片的安全性和穩(wěn)定性，提升芯片的使用壽命以及產(chǎn)品的可靠性。

2、專(zhuān)有的軟啟動(dòng)電路可以降低SR VDS應(yīng)力

當(dāng)電源上電時(shí)，由于輸出電壓會(huì)瞬間上升，這可能會(huì)引起過(guò)高的電壓應(yīng)力，導(dǎo)致器件損壞或降低其壽命。為解決此問(wèn)題，DXP8001FA采用多段啟動(dòng)方式，通過(guò)逐漸增加輸出電壓，根據(jù)不同負(fù)載和輸出條件調(diào)整工作模式為DCM/QR。在輕載情況下，芯片將進(jìn)入Burst模式以提高效率。通過(guò)采用多段啟動(dòng)方式和根據(jù)負(fù)載和輸出條件調(diào)整工作模式，DXP8001FA能夠有效地解決電源上電時(shí)的問(wèn)題，并根據(jù)實(shí)際需求提供高效的電源輸出。

3、超低的寄生電感

當(dāng)前65W PD充電器的常見(jiàn)解決方案是采用普通的分離控制器與外置GaN相結(jié)合。然而，在高頻條件下，這種方案的PCB走線(xiàn)和芯片封裝內(nèi)部的寄生電感會(huì)產(chǎn)生更為嚴(yán)重的干擾。與之相比，DXP8001FA芯片內(nèi)置了等效電路，能夠在高頻條件下僅存在一種寄生電感，從而提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。此外，該芯片外圍電路十分簡(jiǎn)單，極大減少了產(chǎn)品在進(jìn)行PCB布局時(shí)的時(shí)間花費(fèi)，并降低了產(chǎn)品調(diào)試的難度。

4、優(yōu)化的各點(diǎn)效率-容易滿(mǎn)足能效標(biāo)準(zhǔn)

DXP8001FA采用DFN8×8封裝，有效解決了大功率段設(shè)計(jì)及應(yīng)用中芯片溫升較大的問(wèn)題。其130KHZ的開(kāi)關(guān)頻率使得該芯片適用于各種需要高效率、高功率密度和良好散熱性能的電源產(chǎn)品，如開(kāi)關(guān)電源、適配器、電動(dòng)汽車(chē)充電樁等。針對(duì)PD/快速充電的不同輸出電壓需求，它可以調(diào)整為在不同負(fù)載和輸出條件下工作于DCM/QR模式，并在輕負(fù)載條件下工作于突發(fā)模式，以提高效率并滿(mǎn)足不同能效標(biāo)準(zhǔn)的需求。

氮矽科技PD65W（2C1A）參考設(shè)計(jì)

當(dāng)前，全球范圍內(nèi)的政府和組織都在強(qiáng)調(diào)能源效率提升和碳排放減少的重要性。而在節(jié)能電源中，氮化鎵發(fā)揮著舉足輕重的作用，其能夠提高效率，降低轉(zhuǎn)換過(guò)程中的功率損失。相較于傳統(tǒng)的硅基MOSFET，GaN集成芯片在器件尺寸、導(dǎo)通電阻以及工作頻率等方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。利用GaN集成技術(shù)，可以縮小解決方案的整體尺寸，提升效率；同時(shí)降低設(shè)計(jì)難度，使設(shè)計(jì)人員能夠設(shè)計(jì)出更高效、緊湊的電源解決方案。

DXP8001FA充分結(jié)合高效率、高功率密度、高可靠性和高開(kāi)關(guān)頻率等特性，打破了傳統(tǒng)AC-DC轉(zhuǎn)換器的局限，極大地簡(jiǎn)化了AC-DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)和制造過(guò)程。

氮矽科技引領(lǐng)創(chuàng)新：全新低壓氮化鎵集成芯片震撼來(lái)襲！

DXC6010S1C為高功率密度應(yīng)用提供超小型化的解決方案

氮矽科技DXC6010S1C是一款驅(qū)動(dòng)集成氮化鎵芯片，它具有許多出色的特性。這款芯片耐壓100V，內(nèi)部集成了一顆增強(qiáng)型低壓硅基氮化鎵和單通道高速驅(qū)動(dòng)器。采用DFN5×6封裝，占板面積小，無(wú)反向恢復(fù)電荷，并且導(dǎo)通電阻極低。為最高功率密度應(yīng)用提供超小型化的解決方案。

DXC6010S1C以其先進(jìn)的驅(qū)動(dòng)集成技術(shù)脫穎而出，此技術(shù)能夠有效保護(hù)E-Mode GaN柵極，使之具備高度的可靠性。其輸入電壓范圍為±18V，兼容所有傳統(tǒng)硅控制器，并有效減少了寄生電感，簡(jiǎn)化了功率路徑設(shè)計(jì)。這一設(shè)計(jì)顯著降低了PCB占板面積，滿(mǎn)足了生產(chǎn)的高效性和性?xún)r(jià)比的需求。此外，DXC6010S1C還具備UVLO欠壓鎖定功能，能有效防止電源電壓波動(dòng)導(dǎo)致的器件誤開(kāi)啟問(wèn)題，從而有效避免炸機(jī)風(fēng)險(xiǎn)。這同樣是其高可靠性的一大原因。

通過(guò)驅(qū)動(dòng)集成技術(shù)，DXC6010S1C不僅具有超高的可靠性，還兼具了靈活性、可靠性、高效性以及易用性，顯著提升了應(yīng)用工程師的使用體驗(yàn)。

在應(yīng)用方面，DXC6010S1C適用于多種場(chǎng)景，如高頻高功率密度降壓轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換、AC/DC充電器、太陽(yáng)能優(yōu)化器和微型逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和D類(lèi)音頻放大器等。它也適用于AI、服務(wù)器、通信、數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用場(chǎng)景，特別適合48V工作電壓的USB PD 3.1快充和戶(hù)外電源相關(guān)應(yīng)用。

HUAYI 華羿微電

推陳出“芯”！華羿微電功率MOS新升級(jí)，為大功率快充提供“芯”動(dòng)能

HY3210P/MF

HY3210P為100V、6.8mΩ、TO-220FB-3L封裝產(chǎn)品，采用Trench流片工藝。

HY3210P詳細(xì)資料。

HY3210MF為100V、6.8mΩ、TO-220MF-3L封裝產(chǎn)品，采用Trench流片工藝。

HY3210MF詳細(xì)資料。

HY3210P/MF具有低內(nèi)阻、導(dǎo)通損耗小的優(yōu)勢(shì)，產(chǎn)品通過(guò)100% DVDS測(cè)試、100% UIL測(cè)試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，憑借華羿微電穩(wěn)定的工藝能力，具有高可靠性，可以有效提升系統(tǒng)效率，適用于電源開(kāi)關(guān)、不間斷電源等應(yīng)用領(lǐng)域。

Innoscience 英諾賽科

第十代里程碑之作-Oppo Reno10發(fā)布，全系采用VGaN

輕薄是 OPPO?Reno?系列最為個(gè)性鮮明的設(shè)計(jì)語(yǔ)言。OPPO Reno10 系列通過(guò)外部整體的機(jī)身設(shè)計(jì)和內(nèi)部空間模塊的高效堆疊，兼顧長(zhǎng)焦鏡頭和大電池，打造輕薄舒適的手感。

值得一提的是，該系列全系產(chǎn)品均內(nèi)置了英諾賽科新型低壓氮化鎵 VGaN，以此替代傳統(tǒng)手機(jī)內(nèi)部的兩顆背靠背SiMOS，實(shí)現(xiàn)更低導(dǎo)通損耗的手機(jī)電池充、放電功能，并節(jié)省手機(jī)內(nèi)部空間。這也成為 Reno10 系列實(shí)現(xiàn)輕薄的重要方式之一。

據(jù)了解，Reno 10 系列內(nèi)置的VGaN 為英諾賽科40V 低壓芯片 INN040W048A，該芯片支持雙向?qū)?，具備超高開(kāi)關(guān)速度、導(dǎo)通電阻極低、無(wú)反向恢復(fù)等特性。不僅可以讓手機(jī)內(nèi)部空間得到高效利用，還能降低手機(jī)在充電過(guò)程中的溫升，在快速充電時(shí)保持比較舒適的機(jī)身溫度，延長(zhǎng)電池使用壽命。

具體來(lái)看，OPPO Reno10 系列手機(jī)采用“VGaN技術(shù) + 高效空間堆疊工藝”，為手機(jī)內(nèi)部騰出了寶貴空間，由此將等效 4600mAh/4700mAh 的大電池放入極致輕薄的機(jī)身。

同時(shí)，得益于?OPPO 自研的 SUPERVOOC?S?電源管理芯片對(duì)內(nèi)部氮化鎵 VGaN 的直接驅(qū)動(dòng)，節(jié)省了 45% 的快充器件面積，從而支持 80W/100W 超級(jí)閃充，使續(xù)航能力和快充速率大大增強(qiáng)。輕松實(shí)現(xiàn)充電5分鐘，刷劇3小時(shí)，27分鐘迅速滿(mǎn)血的暢快體驗(yàn)。

1KW電源模塊采用InnoGaN，實(shí)測(cè)效率超98%

隨著“雙碳”概念的深入，智能化、低碳化越來(lái)越成為數(shù)據(jù)中心的兩大“確定性”發(fā)展趨勢(shì)，而低碳化就意味著要讓數(shù)據(jù)中心能耗更低、效率更高。據(jù)行家說(shuō)Research顯示，現(xiàn)有數(shù)據(jù)中心（Si方案）整體功率轉(zhuǎn)換能效大約為75%，而采用GaN器件則能提升到87.5%。其中，DCDC 48V-12V 環(huán)節(jié)在整個(gè)鏈路中扮演了重要角色。

繼420W 48V-5V、600W 48V-12V DCDC電源模塊后，英諾賽科又推出一款1000W 方案，利用氮化鎵寄生結(jié)電容小的特點(diǎn)，配合磁集成方案，將開(kāi)關(guān)頻率提升至1MHz，在39mm*26mm*7.5mm的尺寸下，輸出功率達(dá)到1000W，效率超98%，實(shí)現(xiàn)了高效率和高功率密度優(yōu)勢(shì)。

主要參數(shù)

尺寸

39mm*26mm*7.5mm

效率

峰值效率：98.0%@12V/30A

滿(mǎn)載效率：96.29%@12V/85A

功率密度

2150W/in^3

InnoGaN

ISG3201 ×2

INN040LA015A ×8

拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

1000W DCDC 電源模塊的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為全橋 LLC DCX，固定變比為4：1，支持 48V 輸入轉(zhuǎn) 12V 輸出，采用英諾賽科兩顆100V SolidGaN系列的 ISG3201 和八顆INN040LA015A 低壓 GaN 芯片搭配設(shè)計(jì)。

效率數(shù)據(jù)

通過(guò)實(shí)際測(cè)試，在輸入電壓48V、輸出12V/30A 時(shí)，峰值效率達(dá)到 98%；在輸入電壓 48V、輸出12V/85A 時(shí)，滿(mǎn)載效率 96.29%。

器件性能

1000W DCDC電源模塊采用了兩款 InnoGaN 氮化鎵芯片設(shè)計(jì)而成，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的高功率轉(zhuǎn)換。

SolidGaN ISG3201 是一顆耐壓 100V 的半橋氮化鎵合封芯片，其內(nèi)部集成了2顆 100V/3.2mΩ 的增強(qiáng)型 GaN 和1顆 100V 半橋驅(qū)動(dòng)，通過(guò)內(nèi)部集成驅(qū)動(dòng)器，優(yōu)化驅(qū)動(dòng)回路和功率回路，顯著降低寄生電感和開(kāi)關(guān)尖峰, 進(jìn)一步提高1000W 48V 電源模塊系統(tǒng)的整體性能和可靠性。產(chǎn)品面積（5mmx6.5mm）僅略大于單顆標(biāo)準(zhǔn) 5x6 Si 器件，相對(duì)于Si方案的PCB占板面積減小了73%。針對(duì)諧振軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用，GaN 的軟開(kāi)關(guān)FOM 僅為 Si 的45%，這就意味著在高頻軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，100V GaN 的性能更加優(yōu)越。

同時(shí)，該芯片還具有獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)PWM信號(hào)輸入，并支持TTL電平驅(qū)動(dòng)，可由專(zhuān)用控制器或通用MCU進(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制，是數(shù)據(jù)中心模塊電源，電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及D類(lèi)功率放大器等48V電源系統(tǒng)的最佳選擇。

INN040LA015A 是一顆耐壓 40V 導(dǎo)阻 1.5mΩ 的增強(qiáng)型氮化鎵晶體管，采用FCLGA 5*4 封裝，體積小巧，同時(shí)具備極低柵極電荷和導(dǎo)通電阻，且反向恢復(fù)電荷為零，不僅可以降低占板面積，支持1000W DCDC模塊的高功率密度設(shè)計(jì)，更高的開(kāi)關(guān)頻率還能為系統(tǒng)提供更高的動(dòng)態(tài)響應(yīng)，為綠色數(shù)據(jù)中心賦能。

方案優(yōu)勢(shì)

高效率：98.0% @48V-12V /30A

高頻率：1MHz

高功率密度：2150W/in^3

超小體積：39mm*26mm*7.5mm

未來(lái)的數(shù)據(jù)中心將以更高效、更綠色和更智能的方式為客戶(hù)提供服務(wù)，1000W DCDC 電源模塊能夠使數(shù)據(jù)中心發(fā)揮高功率密度、低損耗等巨大優(yōu)勢(shì)，氮化鎵作為實(shí)現(xiàn)綠色能源的核心器件，也將為數(shù)字化時(shí)代的到來(lái)提供有力支撐。

摩托羅拉強(qiáng)勢(shì)回歸！Edge 40首創(chuàng)全鏈路GaN，實(shí)現(xiàn)快充自由

據(jù)介紹，摩托羅拉Edge 40手機(jī)內(nèi)部采用的英諾賽科 VGaN 雙向?qū)ǖ壭酒?0V/4.8mΩ），其具備無(wú)體二極管、低導(dǎo)通阻抗等特性，到目前為止是全球唯一內(nèi)置到手機(jī)主板，并實(shí)現(xiàn)終端量產(chǎn)的氮化鎵芯片。其原理是利用一顆VGaN 代替?zhèn)鹘y(tǒng)手機(jī)內(nèi)部的兩顆背靠背Si MOS，實(shí)現(xiàn)了更低導(dǎo)通損耗的手機(jī)電池充、放電功能，保證手機(jī)在充電過(guò)程中更高效，更安全。

該產(chǎn)品已于2022年被評(píng)為第十七屆“中國(guó)芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品，并在OPPO，Realme，一加等品牌的多款手機(jī)中成功量產(chǎn)。

而在標(biāo)配充電器方面，Edge 40 的 68W充電器最高輸出功率68.2W，不管在手機(jī)還是筆記本都有不錯(cuò)的兼容性。其內(nèi)部采用的氮化鎵器件（定制產(chǎn)品INN650DAL02A）同樣來(lái)自英諾賽科。

該芯片封裝為 DFN 5*6，支持超高開(kāi)關(guān)頻率，具備低 Qg，低Co(tr)，無(wú)反向恢復(fù)損耗 Qrr 等特性，為Edge 40 標(biāo)配的 68W 充電器實(shí)現(xiàn)小體積、高效率的設(shè)計(jì)。據(jù)充電頭網(wǎng)測(cè)評(píng)顯示，摩托羅拉 68W 充電器功率密度達(dá) 1.01W/cm3，輕松執(zhí)于掌心，算得上是手機(jī)官配里的良心制作了。

英諾賽科2款 FCQFN 150V 產(chǎn)品打入工業(yè)應(yīng)用市場(chǎng)

英諾賽科基于150V電壓平臺(tái)推出了 INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 兩款中低壓 GaN，該平臺(tái)產(chǎn)品滿(mǎn)足工業(yè)級(jí)可靠性要求，主要應(yīng)用于太陽(yáng)能系統(tǒng)優(yōu)化器和微型逆變器，PD充電器與PSU同步整流、通信電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器等。

首款產(chǎn)品 INN150FQ032A 采用 FCQFN 4mmx6mm 封裝，體積小巧，且開(kāi)關(guān)損耗低，具有良好的效率表現(xiàn)，目前已成功量產(chǎn)。基于150V電壓平臺(tái)技術(shù)，英諾賽科近日再次強(qiáng)勢(shì)推出 150V/7mΩ 器件 INN150FQ070A，采用 FCQFN 4mmX6mm Pin to pin 兼容引腳設(shè)計(jì)，已通過(guò)小批量試產(chǎn)，客戶(hù)可基于不同應(yīng)用需求進(jìn)行規(guī)格選型。

INN150FQ032A INN150FQ070A 產(chǎn)品特性

l 工業(yè)級(jí)應(yīng)用

l 超低的柵極電荷

l 超低導(dǎo)通電阻

l 小體積，F(xiàn)CQFN封裝 4mmx6mm

INN150FQ032A INN150FQ070A 應(yīng)用領(lǐng)域

l 高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器

l 太陽(yáng)能系統(tǒng)優(yōu)化器和微型逆變器

l PD充電器和PSU同步整流

l 通信電源

l 電機(jī)驅(qū)動(dòng)

INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 延續(xù)了 InnoGaN 導(dǎo)通電阻低、開(kāi)關(guān)速度快、無(wú)反向恢復(fù)等諸多特性，在太陽(yáng)能系統(tǒng)優(yōu)化器和微型逆變器，PD充電器與PSU同步整流、通信電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用中，更能充分地體現(xiàn)其高頻高效、低導(dǎo)阻等優(yōu)越特性。

INN150FQ032A規(guī)格書(shū)首頁(yè)

INN150FQ070A規(guī)格書(shū)首頁(yè)

英諾賽科150V Single GaN 系列推出的兩款不同導(dǎo)通電阻FCQFN封裝芯片，不僅為客戶(hù)設(shè)計(jì)選型提供更多參考，且有力推進(jìn)了氮化鎵在工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用。

基于大規(guī)模8英寸硅基氮化鎵技術(shù)的研發(fā)、制造與迭代，英諾賽科的產(chǎn)品質(zhì)量和成本優(yōu)勢(shì)均已在行業(yè)中得到體現(xiàn)。消費(fèi)電子是氮化鎵規(guī)?；瘧?yīng)用的第一站，工業(yè)領(lǐng)域雖然滲透較低，但其需求也在逐步攀升，英諾賽科期待與合作伙伴共同推進(jìn)更多領(lǐng)域的應(yīng)用，構(gòu)建氮化鎵生態(tài)。

出貨量突破3億顆，英諾賽科GaN技術(shù)成就新里程碑

截至2023年8月，英諾賽科氮化鎵芯片出貨量成功突破3億顆！

截至2023年Q1，英諾賽科GaN芯片出貨量累計(jì)出貨量突破1.5億顆（2022年12月：突破1億顆；2023年Q1：突破5000萬(wàn)顆），這意味著，在不到半年的時(shí)間里，英諾賽科的GaN芯片出貨量相比之前翻了一番，增長(zhǎng)勢(shì)頭迅猛，出貨量漲勢(shì)強(qiáng)勁，上半年銷(xiāo)售額增長(zhǎng)500%。

目前，英諾賽科GaN芯片產(chǎn)品已在消費(fèi)類(lèi)（快充、手機(jī)、LED），汽車(chē)激光雷達(dá)，數(shù)據(jù)中心，新能源與儲(chǔ)能領(lǐng)域的多個(gè)應(yīng)用中大批量交付，幫助客戶(hù)實(shí)現(xiàn)小體積、高能效、低損耗的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。

英諾賽科發(fā)布100V VGaN，支持48V BMS應(yīng)用

英諾賽科宣布推出 100V 雙向?qū)ㄆ骷?INV100FQ030A，可在電池管理系統(tǒng)、雙向變換器的高側(cè)負(fù)荷開(kāi)關(guān)、電源系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)電路等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)高效應(yīng)用。

英諾賽科產(chǎn)品部Shawn表示：“一顆 VGaN 可以替代兩顆共漏連接的背靠背Si MOSFET，實(shí)現(xiàn)電池充電和放電雙向開(kāi)關(guān)，進(jìn)一步減小導(dǎo)通電阻，降低損耗。VGaN 器件采用單 Gate 設(shè)計(jì)，通過(guò)控制 Gate到 Drain1/Drain2 的邏輯，實(shí)現(xiàn)充電保護(hù)可放電、放電保護(hù)可充電；同時(shí)大幅減少器件數(shù)量，縮小占板面積，降低整體系統(tǒng)成本?！?/p>

為便于客戶(hù)驗(yàn)證和導(dǎo)入，英諾賽科同步提供 BMS 系統(tǒng)解決方案，設(shè)計(jì)方案涵蓋低邊同口、高邊同口、高邊分口等。INV100FQ030A 在電池管理系統(tǒng) (BMS) 中體現(xiàn)出明顯優(yōu)勢(shì)，具備巨大的市場(chǎng)潛力。

產(chǎn)品特性

支持雙向?qū)?，雙向截止，無(wú)反向恢復(fù)

極低的柵極電荷

超低的導(dǎo)通電阻 100V/3.2mΩ

超小的封裝體積 FCQFN封裝 4x6mm

應(yīng)用領(lǐng)域

電池管理系統(tǒng) (BMS)

雙向變換器的高側(cè)負(fù)荷開(kāi)關(guān)

電源系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)電路

性能與優(yōu)勢(shì)

INV100FQ030A與先前推出的100V單管器件INN100FQ016A，150V系列 INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 三款產(chǎn)品采用兼容引腳設(shè)計(jì)，均為 FCQFN 4x6mm 封裝，客戶(hù)可以根據(jù)不同的應(yīng)用需求進(jìn)行規(guī)格選型。

INV100FQ030A 規(guī)格書(shū)首頁(yè)

英諾賽科100V 氮化鎵系列產(chǎn)品已量產(chǎn)三款WLCSP 封裝產(chǎn)品（INN100W032A、INN100W027A 和 INN100W070A），兩款 FCQFN 封裝產(chǎn)品（INN100FQ016A、INN100FQ025A）。當(dāng)前新增一款FCQFN 封裝雙向?qū)?VGaN 芯片 INV100FQ030A，進(jìn)一步豐富了 100V InnoGaN 系列，擴(kuò)大應(yīng)用范圍，也為更廣泛的場(chǎng)景提供選擇。基于持續(xù)創(chuàng)新與核心技術(shù)的提升，英諾賽科8英寸氮化鎵IDM模式將加速應(yīng)用系統(tǒng)小型化、更高效、更節(jié)能。

目前，INV100FQ030A 已進(jìn)入小批量試產(chǎn)，如需申請(qǐng)樣品，或查詢(xún)?cè)敿?xì)的產(chǎn)品規(guī)格書(shū)、可靠性報(bào)告、仿真模型、VGaN BMS系統(tǒng)Demo方案等資料，可以通過(guò)英諾賽科微信公眾號(hào)私信/留言聯(lián)系獲取。

TAGOR 泰高

提供無(wú)與倫比的100W應(yīng)用設(shè)計(jì)，泰高技術(shù)大功率氮化鎵射頻前端芯片解析

深圳市泰高技術(shù)有限公司是專(zhuān)注于氮化鎵射頻前端芯片的半導(dǎo)體公司。其憑借在氮化鎵射頻領(lǐng)域的發(fā)明專(zhuān)利，成功研發(fā)了一系列大功率氮化鎵射頻前端芯片。這些創(chuàng)新的芯片能夠顯著延長(zhǎng)無(wú)線(xiàn)通信距離并提升圖像傳輸品質(zhì)。采用泰高技術(shù)的氮化鎵設(shè)計(jì)，這些芯片具有更高的功率密度和更低的能耗。

這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)不僅提升了產(chǎn)品整體性能，也對(duì)無(wú)線(xiàn)通信領(lǐng)域帶來(lái)了革命性突破。借助泰高技術(shù)的大功率氮化鎵射頻前端芯片，用戶(hù)可以享受更遠(yuǎn)距離的無(wú)線(xiàn)連接和更高質(zhì)量的圖像傳輸，無(wú)論是通信設(shè)備、無(wú)人機(jī)或其他需要遠(yuǎn)程通信的場(chǎng)景。此外，這些芯片還表現(xiàn)出色的能效，能夠在保持高性能的同時(shí)降低能耗。這意味著設(shè)備在長(zhǎng)時(shí)間使用后仍能保持穩(wěn)定工作，并為環(huán)保事業(yè)作出貢獻(xiàn)。

泰高技術(shù)是一家專(zhuān)注于提供廣泛射頻開(kāi)關(guān)產(chǎn)品的公司，產(chǎn)品組合包括功率范圍在10W到100W之間的平均功率射頻開(kāi)關(guān)，并采用小巧的QFN封裝。與傳統(tǒng)的PIN二極管開(kāi)關(guān)不同的是，泰高技術(shù)的產(chǎn)品只需2.6V到5.5V電源供應(yīng)，無(wú)需額外的高壓供電或被動(dòng)元件。這個(gè)設(shè)計(jì)巧妙地節(jié)約了寶貴的電路板空間，為客戶(hù)提供更大的靈活性和便利性。

此外，開(kāi)關(guān)還具備低傳導(dǎo)電阻（Ron）和高峰值電壓承受能力，可以實(shí)現(xiàn)可調(diào)諧的諧波濾波效果，滿(mǎn)足不同應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)精確路由射頻信號(hào)的需求。泰高技術(shù)不斷優(yōu)化射頻開(kāi)關(guān)的性能，以滿(mǎn)足無(wú)線(xiàn)電頻段所需的功率輸出、隔離度和諧波性能。如果客戶(hù)還需要前端的低噪聲放大器產(chǎn)品，也可以提供符合各種應(yīng)用場(chǎng)景需求的解決方案。通過(guò)提供優(yōu)質(zhì)的射頻開(kāi)關(guān)產(chǎn)品和服務(wù)，致力于幫助客戶(hù)獲得更高的性能和可靠性，在無(wú)線(xiàn)通信領(lǐng)域取得成功。

泰高技術(shù)一直專(zhuān)注于改進(jìn)射頻開(kāi)關(guān)的性能，以滿(mǎn)足無(wú)線(xiàn)電頻段所需的各項(xiàng)要求。通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)，成功提升產(chǎn)品的功率密度，同時(shí)降低能耗，實(shí)現(xiàn)了更出色的能效表現(xiàn)。這一創(chuàng)新技術(shù)將在無(wú)線(xiàn)通信領(lǐng)域帶來(lái)革命性的變革，為用戶(hù)提供更為穩(wěn)定、高效的無(wú)線(xiàn)連接體驗(yàn)。

深圳市泰高技術(shù)有限公司是一家專(zhuān)注于研究氮化鎵射頻前端芯片的半導(dǎo)體企業(yè)。憑借著在氮化鎵射頻領(lǐng)域的創(chuàng)新專(zhuān)利，成功地開(kāi)發(fā)出了一系列高功率氮化鎵射頻前端芯片，成為國(guó)內(nèi)在該領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者。這些創(chuàng)新的芯片實(shí)現(xiàn)了無(wú)線(xiàn)通信距離和圖像傳輸質(zhì)量方面的重大突破。采用泰高技術(shù)的氮化鎵設(shè)計(jì)，這些芯片具備更高的功率密度和更低的能耗。這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)不僅提升了產(chǎn)品整體性能，對(duì)無(wú)線(xiàn)通信行業(yè)也帶來(lái)了革命性的影響。

通過(guò)使用公司的大功率氮化鎵射頻前端芯片，用戶(hù)可以享受到更遠(yuǎn)距離的無(wú)線(xiàn)連接和高品質(zhì)的圖像傳輸體驗(yàn)，不論是在通信設(shè)備、無(wú)人機(jī)還是其他需要遠(yuǎn)程通信的場(chǎng)景中都能得心應(yīng)手。此外，這些芯片還具備出色的能效表現(xiàn)，既能保持高性能，又能降低能源消耗。因此，在長(zhǎng)時(shí)間使用后，設(shè)備仍然能夠保持穩(wěn)定運(yùn)行，并為環(huán)保事業(yè)做出貢獻(xiàn)。

滿(mǎn)足廣泛應(yīng)用，覆蓋10-100W設(shè)計(jì)需求，泰高技術(shù)引領(lǐng)氮化鎵射頻開(kāi)關(guān)芯片

泰高技術(shù)所研發(fā)的氮化鎵射頻開(kāi)關(guān)無(wú)疑是市場(chǎng)上最為獨(dú)一無(wú)二的產(chǎn)品。公司在產(chǎn)品類(lèi)型方面擁有多樣化的選擇，包括大功率射頻開(kāi)關(guān)（High Power Switch)、內(nèi)置變壓模塊禁止的低噪聲開(kāi)關(guān)（By Pass Switch）、天線(xiàn)的安全失效保護(hù)開(kāi)關(guān)（Fail-Safe Switch）以及可調(diào)天線(xiàn)濾波器（Antenna Turning Switch）等。這些產(chǎn)品不僅具備出眾的性能和品質(zhì)，還能滿(mǎn)足不同客戶(hù)的需求。海外市場(chǎng)也對(duì)泰高技術(shù)的產(chǎn)品贊譽(yù)有加，認(rèn)可其在無(wú)線(xiàn)通信領(lǐng)域的引領(lǐng)地位。無(wú)論是在可靠性還是創(chuàng)新性方面，泰高技術(shù)都打破了傳統(tǒng)的技術(shù)界限，提供了獨(dú)特而先進(jìn)的解決方案。

泰高技術(shù)的大功率射頻開(kāi)關(guān)與控制器已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了無(wú)縫的融合，為用戶(hù)提供了極其方便的開(kāi)關(guān)操作體驗(yàn)。產(chǎn)品可支持3.3V或5.0V電源，簡(jiǎn)化了射頻開(kāi)關(guān)控制方式。與傳統(tǒng)的GaAS和SOI開(kāi)關(guān)相比，泰高技術(shù)的產(chǎn)品不僅在插入損耗方面表現(xiàn)更佳，而且隔離性能更加出色，能夠滿(mǎn)足更多應(yīng)用場(chǎng)景的需求。同時(shí)，這款大功率射頻開(kāi)關(guān)與控制器的獨(dú)特設(shè)計(jì)，使其成為一款非常出色的產(chǎn)品。

泰高技術(shù)的大功率對(duì)稱(chēng)型射頻開(kāi)關(guān)產(chǎn)品具有以下優(yōu)勢(shì)：

1. 寬波段：產(chǎn)品適用于廣泛的頻率范圍，主要工作頻段為30MHz-6GHz。

2. 高隔離度：高達(dá)42db的隔離度，有效減少信號(hào)之間的干擾。

3. 低插入損耗：插入損耗僅為0.2db以下，信號(hào)通過(guò)開(kāi)關(guān)時(shí)產(chǎn)生的能量損失非常小，從而降低了功耗和發(fā)熱問(wèn)題。

4. 快速切換速度：開(kāi)關(guān)的切換速度非常迅速，能夠滿(mǎn)足實(shí)時(shí)控制的需求。

5. 高可靠性：產(chǎn)品采用對(duì)稱(chēng)型設(shè)計(jì)，降低了故障率，提高了設(shè)備的可靠性。

6. 較少的外圍器件：與傳統(tǒng)的Pin二極管相比，泰高技術(shù)的產(chǎn)品外圍零件數(shù)量大大減少，最少只需要2pcs，從而節(jié)省了布板空間的使用。

7. 低能耗：平均只需要0.6mW，進(jìn)一步降低了能源消耗。

泰高技術(shù)的氮化鎵射頻開(kāi)關(guān)：強(qiáng)勁應(yīng)對(duì)高功率射頻設(shè)計(jì)的王牌

被廣泛應(yīng)用于高功率放大器中，其優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在寬帶隙 GaN 器件具有高擊穿電壓和高載流子密度，從而實(shí)現(xiàn)高功率密度。然而，人們對(duì)于 GaN 在大功率開(kāi)關(guān)技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì)并不太了解。實(shí)際上，GaN 改善功率放大器性能的特性同樣適用于實(shí)現(xiàn)出色的大功率射頻開(kāi)關(guān)。

GaN 射頻開(kāi)關(guān)內(nèi)部框圖

在高功率射頻開(kāi)關(guān)中，對(duì)射頻器件有兩個(gè)主要的要求：ON臂必須具備處理極高射頻電流的能力，而OFF臂則需要能夠應(yīng)對(duì)非常大的射頻電壓。從表1可以看出，射頻開(kāi)關(guān)所需的峰值射頻電壓和電流與射頻功率呈現(xiàn)正相關(guān)的關(guān)系。舉例來(lái)說(shuō)，如果在一個(gè)50Ω的系統(tǒng)中產(chǎn)生10W的射頻功率，則需要處理32V的峰值電壓和600mA的峰值電流。當(dāng)駐波比為4:1時(shí)，在典型射頻前端部分，開(kāi)關(guān)必須能夠處理超過(guò)50V和1A的峰值電壓和電流。如果產(chǎn)生的射頻功率為100W，則開(kāi)關(guān)需要處理160V的峰值電壓和3.2A的峰值電流。因此，射頻開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)必須能夠承受高電壓和高電流的要求。此外，還需要考慮安全性和可靠性等因素。

另一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)是 FoM（figure of merit）=（Ron*Coff/VBV）。其中，Ron 代表開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻，Coff 代表關(guān)斷電容，VBV 代表?yè)舸╇妷骸oM 的值越小，技術(shù)越優(yōu)越。泰高技術(shù)的第二代 GaN 技術(shù)的 FoM 為 3 fs/V。隨著技術(shù)的成熟和改進(jìn)，下一代的 FoM 有望進(jìn)一步提高，從而進(jìn)一步改善開(kāi)關(guān)性能。

GaN 與 PIN 二極管射頻開(kāi)關(guān)的比較

泰高技術(shù)的GaN射頻開(kāi)關(guān)采用耗盡型模式GaN HEMT技術(shù)，相較于PIN二極管射頻開(kāi)關(guān)具有許多優(yōu)勢(shì)。首先，GaN HEMT具有高擊穿電壓，每毫米的飽和電流可接近1A，因此在50Ω系統(tǒng)中，僅需2至3毫米的器件即可滿(mǎn)足100W功率的峰值電流要求。與絕緣體上硅（SOI）開(kāi)關(guān)類(lèi)似，GaN射頻開(kāi)關(guān)使用柵極電壓來(lái)控制開(kāi)關(guān)功能。然而，GaN器件的擊穿電壓遠(yuǎn)高于SOI，SOI的擊穿電壓一般約為3V。這意味著在高功率開(kāi)關(guān)中，無(wú)需堆疊多個(gè)器件，仍能滿(mǎn)足要求，從而降低了Ron和Coff。

值得注意的是，由于這些器件處于耗盡模式，關(guān)閉時(shí)需要負(fù)電壓，而打開(kāi)則需要零電壓。泰高技術(shù)的開(kāi)關(guān)控制器芯片與GaN芯片封裝在一起，通過(guò)控制器產(chǎn)生的柵極電壓信號(hào)來(lái)控制所有GaN器件?？刂破鲀?nèi)部產(chǎn)生負(fù)電壓，只需要最低2.7V（最高5.5V）的電源和1.2V（最高5.25V）的邏輯信號(hào)即可控制射頻開(kāi)關(guān)狀態(tài)。此外，唯一需要的外部元件是連接在電荷泵引腳上的旁路電容。這些特點(diǎn)使得泰高技術(shù)的GaN射頻開(kāi)關(guān)成為一種非常方便且高效的選擇。

5G室外一體機(jī)微基站的理想選擇，整合雙通道射頻前端多芯片模塊，采用先進(jìn)的氮化鎵工藝

泰高技術(shù)推出了適用于時(shí)分雙工（TDD）系統(tǒng)的多芯片模塊，該模塊集成了低噪聲放大器（LNA）和氮化鎵工藝的高功率開(kāi)關(guān)TGFE0220D，覆蓋了2.0 GHz至4.2 GHz的蜂窩頻段，并針對(duì)M-MIMO天線(xiàn)接口進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。該系列器件通過(guò)GaN工藝集成了高功率開(kāi)關(guān)和GaAs工藝集成的高性能低噪聲放大器，具備高射頻功率處理能力和高度集成度，既不犧牲性能也不犧牲成本。

雙通道架構(gòu)

TGFE0220D的m-MIMO RF前端設(shè)計(jì)采用雙通道架構(gòu)，如圖2所示。該器件集成了高功率開(kāi)關(guān)和兩級(jí)LNA。在接收模式下，開(kāi)關(guān)將輸入信號(hào)路由至LNA輸入端。在發(fā)射模式下，輸入經(jīng)過(guò)50 Ω端口路由，以確保與天線(xiàn)接口的正確匹配，并將LNA與天線(xiàn)之間的任何反射功率隔離。通過(guò)集成的雙通道架構(gòu)，設(shè)計(jì)人員可以輕松擴(kuò)展MIMO，超越傳統(tǒng)器件8×8（8個(gè)發(fā)射器×8個(gè)接收器）的限制，實(shí)現(xiàn)16×16、32×32、64×64甚至更高的配置。

M-MIMO射頻前端框圖。

高功率保護(hù)開(kāi)關(guān)

該器件包含一種采用氮化鎵（GaN）工藝設(shè)計(jì)的大功率開(kāi)關(guān)，無(wú)需額外的外部組件來(lái)產(chǎn)生偏置。該開(kāi)關(guān)適用于5V單電源運(yùn)行，僅消耗5mA的電流，并可以直接與標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字微控制器連接，無(wú)需采用負(fù)電壓或電平轉(zhuǎn)換器。相比于基于PIN二極管開(kāi)關(guān)的實(shí)現(xiàn)方案，氮化鎵開(kāi)關(guān)可以節(jié)省用戶(hù)約80%的偏置功率和90%的電路板空間。

在連續(xù)運(yùn)行時(shí)，該開(kāi)關(guān)能夠處理峰均比（PAR）為9 dB的20 W平均射頻信號(hào)，并且在故障情況下能夠承受兩倍額定功率。TGFE0220D是市場(chǎng)上首批具備20 W功率處理能力的產(chǎn)品，因此非常適用于高功率M-MIMO設(shè)計(jì)。通過(guò)向每個(gè)天線(xiàn)元件傳輸更多的功率，可以減少傳輸通道的數(shù)量，并從基站中獲取相同的射頻功率。TGFE0220D的架構(gòu)如圖3所示。可以看出，兩個(gè)通道的大功率開(kāi)關(guān)都由同一器件引腳供電和控制，而低噪聲放大器則有自己獨(dú)立的電源和控制信號(hào)設(shè)計(jì)。同時(shí)，該器件在故障情況下也能夠正常工作。

TGFE0220D電路架構(gòu)。

低噪聲系數(shù)

本款兩級(jí)低噪聲放大器（LNA）采用GaAs工藝設(shè)計(jì)，單電源供電為5 V，無(wú)需外部偏置電感器。在頻率范圍內(nèi)，其增益特性保持平坦。以3.6GHz為條件，高增益模式和低增益模式的編程分別為32 dB和13 dB。該器件還支持低功耗模式，可以關(guān)閉LNA的電源以節(jié)省偏置電源。其噪聲系數(shù)為1.0 dB（包括開(kāi)關(guān)的插入損耗），使其非常適用于高功率和低功率M-MIMO系統(tǒng)。圖4展示了TGFE0220D在指定頻段上的噪聲系數(shù)性能。

具體來(lái)說(shuō)：

在3.6GHz頻率下，高增益模式下的噪聲系數(shù)為1.0dB；

在3.6GHz頻率下，低增益模式下的噪聲系數(shù)為0.9dB；

RXOUT-CHA和RXOUT-CHB之間的隔離度為40dB（典型值）；

TERM-CHA和TERM-CHB之間的隔離度為55 dB（典型值）；

在3600MHz處的插入損耗為0.45dB（TX模式）。

TGFE0220D噪聲系數(shù)。

小尺寸，外部組件數(shù)量少

該器件具有以下特點(diǎn)：除了電源引腳上的主要解耦電容和射頻信號(hào)引腳上的隔直電容外，無(wú)需添加任何調(diào)諧或匹配元件。射頻輸入和輸出采用50Ω匹配。在LNA設(shè)計(jì)中，匹配和偏置電感已經(jīng)集成其中。這一設(shè)計(jì)不僅節(jié)省了昂貴的組件材料成本，而且簡(jiǎn)化了硬件設(shè)計(jì)中相鄰收發(fā)器之間通道間串?dāng)_的問(wèn)題。該器件采用6 mm × 6 mm表貼封裝形式，并附帶散熱增強(qiáng)底板。其額定殼溫范圍為-40°C到+105°C。

通過(guò)查看圖5，您可以看到該器件是如何安裝在其評(píng)估板上的。如果您對(duì)該評(píng)估板感興趣，您可以直接聯(lián)系泰高技術(shù)或其授權(quán)代理商獲取。

TGFE0220D for 2.0GHz~4.2GHz評(píng)估板。

功能對(duì)比A品牌

泰高技術(shù)的TGFE0220D與A品牌的ADRF5545A和ADRF5515在P2P兼容性方面完全相同，并且在性能上超過(guò)了A品牌。據(jù)圖6顯示，TGFE0220D的性能對(duì)比表明它具有出色的表現(xiàn)。

TGFE0220D是一款兼容ADRF5545A和ADRF5515的芯片，但是它們之間存在三個(gè)顯著的差異。首先，TGFE0220D的第4個(gè)引腳無(wú)法連接到地線(xiàn)，因此需要對(duì)PCB進(jìn)行微小的調(diào)整。其次，與ADRF5545A相比，TGFE0220D具有更優(yōu)秀的噪聲系數(shù)，類(lèi)似于ADRF5515。在應(yīng)用中，噪聲系數(shù)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。最后，TGFE0220D的插入損耗也優(yōu)于ADRF5545A，類(lèi)似于ADRF5515。這意味著在使用TGFE0220D時(shí)，信號(hào)插入時(shí)的損耗更小。

這些特點(diǎn)使得TGFE0220D成為非常值得考慮的芯片選擇。它不僅與A品牌兼容，而且在性能方面表現(xiàn)卓越。無(wú)論是優(yōu)化噪聲系數(shù)還是降低插入損耗，TGFE0220D都可以為用戶(hù)提供更好的性能和信號(hào)質(zhì)量。對(duì)于需要高性能和可靠性的應(yīng)用場(chǎng)景，TGFE0220D是一個(gè)理想的選擇。

TGFE0220D 性能對(duì)比表。

深圳市泰高技術(shù)有限公司是一家專(zhuān)注于氮化鎵射頻前端芯片的半導(dǎo)體企業(yè)。憑借自身在該領(lǐng)域的發(fā)明專(zhuān)利，我們成功研發(fā)了一系列高功率氮化鎵射頻前端芯片。這些創(chuàng)新產(chǎn)品不僅可以顯著擴(kuò)展無(wú)線(xiàn)通信的覆蓋范圍，還能提升圖像傳輸?shù)馁|(zhì)量。通過(guò)采用泰高技術(shù)的氮化鎵設(shè)計(jì)方法，這些芯片實(shí)現(xiàn)了更高的功率密度和更低的能耗。這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)不僅提升了整體產(chǎn)品性能，還對(duì)無(wú)線(xiàn)通信領(lǐng)域帶來(lái)了革命性的突破。借助我們的高功率氮化鎵射頻前端芯片，用戶(hù)可以享受到更遠(yuǎn)距離的無(wú)線(xiàn)連接和更高質(zhì)量的圖像傳輸，無(wú)論是在通信設(shè)備、無(wú)人機(jī)或其他需要遠(yuǎn)程通信的場(chǎng)景中。此外，這些芯片還具有出色的能效表現(xiàn)，能夠在保持高性能的同時(shí)降低能耗。這意味著設(shè)備可以長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行，并為環(huán)保事業(yè)做出貢獻(xiàn)。

泰高技術(shù)-讓您實(shí)現(xiàn)超低噪聲性能（低于-134dBm）的高功率氮化鎵射頻開(kāi)關(guān)

泰高技術(shù)提供了一系列高功率氮化鎵射頻開(kāi)關(guān)產(chǎn)品，這些開(kāi)關(guān)內(nèi)部包含GaN芯片和CMOS控制器芯片。為了正確控制開(kāi)關(guān)裝置，泰高GaN開(kāi)關(guān)采用了集成控制器設(shè)計(jì)，該設(shè)計(jì)需要負(fù)電壓。為了生成負(fù)電壓，控制器內(nèi)部使用電荷泵電路。

不過(guò)，電荷泵電路在切換頻率和切換頻率的諧波處會(huì)產(chǎn)生干擾。為了解決這個(gè)問(wèn)題，圖1顯示了通過(guò)連接在IC的VCP引腳上的外部旁路電容器來(lái)降低這些切換干擾的方法。推薦的旁路電容器值為1nF，電壓等級(jí)為50V。在操作頻率低于300MHz時(shí)，典型的干擾性能為-110dBm至-130dBm，并且分辨帶寬為10kHz。圖2展示了TGSB2320AD; 30W 4T RF開(kāi)關(guān)的所有四個(gè)RF端口的低頻噪聲性能，還顯示了與RF開(kāi)關(guān)連接時(shí)的噪聲水平，以展示測(cè)量噪聲底線(xiàn)。

在超過(guò)300MHz的操作頻率下，干擾水平應(yīng)低于-135dBm，大多數(shù)應(yīng)用情況下這已經(jīng)足夠。但對(duì)于在VHF和UHF頻段操作的應(yīng)用以及RF開(kāi)關(guān)位于系統(tǒng)的接收路徑中的情況，這種干擾性能可能不足夠。在通道帶寬為10kHz的情況下，需要低于-134dBm的噪聲底線(xiàn)（即熱噪聲底線(xiàn)）。如圖2所示，采用內(nèi)置電荷泵選項(xiàng)的泰高開(kāi)關(guān)不能滿(mǎn)足這種噪聲要求。本應(yīng)用指南提供了一個(gè)簡(jiǎn)單的解決方案，適用于那些需要在操作頻率低于300MHz時(shí)，噪聲低于-135dBm（10kHz RBW）的應(yīng)用。

TGSB2320AD Pinout

Noise performance for TGSB2320AD

解決方案 ：

泰高技術(shù)為需要低噪聲性能的應(yīng)用提供了一系列具有外部電荷泵電壓選項(xiàng)的開(kāi)關(guān)產(chǎn)品。這些開(kāi)關(guān)需要外部負(fù)電壓來(lái)工作。根據(jù)圖3所示，只需使用帶有內(nèi)部電荷泵的泰高技術(shù)氮化鎵射頻開(kāi)關(guān)產(chǎn)品，就可以輕松地提供所需的負(fù)電壓。泰高技術(shù)的氮化鎵射頻開(kāi)關(guān)通過(guò)設(shè)計(jì)內(nèi)部電荷泵電路，使其能夠?yàn)閹в型獠侩姾杀眠x項(xiàng)的開(kāi)關(guān)提供足夠的電流。

我們建議將每個(gè)開(kāi)關(guān)靠近其相應(yīng)的旁路電容器。在一些系統(tǒng)中，可能存在多個(gè)射頻開(kāi)關(guān)。在這種情況下，可以使用VCP電壓從不需要非常低噪聲性能的開(kāi)關(guān)（如位于發(fā)送路徑的開(kāi)關(guān)）提供給需要低噪聲性能的開(kāi)關(guān)（如位于VHF和UHF接收路徑的開(kāi)關(guān)）。通過(guò)這樣的配置，具有外部電荷泵選項(xiàng)的開(kāi)關(guān)將能夠?qū)崿F(xiàn)超低噪聲性能（-134dBm），滿(mǎn)足接收機(jī)靈敏度的要求。

Low noise solution (Allowed)

重要說(shuō)明：請(qǐng)注意，泰高技術(shù)的高功率氮化鎵射頻對(duì)稱(chēng)開(kāi)關(guān)對(duì)稱(chēng)帶有內(nèi)置電荷泵，因此在連接時(shí)只能與一個(gè)具有外部電荷泵的開(kāi)關(guān)相連。如果系統(tǒng)中存在多個(gè)帶有外部電荷泵的開(kāi)關(guān)，則應(yīng)確保第二個(gè)開(kāi)關(guān)連接到具有內(nèi)置電荷泵選項(xiàng)的不同泰高技術(shù)氮化鎵RF開(kāi)關(guān)，如圖3所示的解決方案所示。但是，請(qǐng)注意，圖4所示的解決方案則是不被允許的。另外，請(qǐng)務(wù)必確保兩個(gè)開(kāi)關(guān)（即內(nèi)置電荷泵選項(xiàng)和外部電荷泵選項(xiàng)）都由同一穩(wěn)壓器供電。此外，為了保證性能穩(wěn)定，建議兩個(gè)開(kāi)關(guān)都配備1nF或更高的旁路電容，并且這些旁路電容應(yīng)盡可能靠近各自的開(kāi)關(guān)位置。

加深合作，攜手前進(jìn)，泰高技術(shù)與鎵宏半導(dǎo)體共同推動(dòng)GaN領(lǐng)域的戰(zhàn)略合作

深圳市泰高技術(shù)與深圳鎵宏半導(dǎo)體有限公司近日達(dá)成了一項(xiàng)全面戰(zhàn)略合作協(xié)議，旨在增強(qiáng)企業(yè)的可持續(xù)發(fā)展能力，提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。該合作協(xié)議基于優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)和共同發(fā)展的原則，在芯片制造領(lǐng)域展開(kāi)合作，涵蓋硅基氮化鎵、碳化硅基氮化鎵和藍(lán)寶石基氮化鎵外延片等領(lǐng)域。這一合作舉措將有助于泰高技術(shù)積極推進(jìn)產(chǎn)品化進(jìn)程，并對(duì)未來(lái)的經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)產(chǎn)生積極作用。

根據(jù)擬簽訂的《深圳市泰高技術(shù)有限公司與深圳鎵宏半導(dǎo)體有限公司戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》，深圳鎵宏半導(dǎo)體將全力支持泰高技術(shù)的氮化鎵射頻與功率芯片及工藝研發(fā)，并提供長(zhǎng)期、穩(wěn)定、優(yōu)質(zhì)的外延片服務(wù)。協(xié)議進(jìn)一步明確了雙方在工程上相互支持的合作方式。

深圳鎵宏半導(dǎo)體及其子公司江蘇鎵宏半導(dǎo)體，引進(jìn)美國(guó)領(lǐng)先公司的核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)，以團(tuán)隊(duì)在海外積累的大功率氮化鎵芯片規(guī)?；O(shè)計(jì)及生產(chǎn)技術(shù)經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ)，結(jié)合國(guó)內(nèi)市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，著手建設(shè)氮化鎵功率芯片IDM項(xiàng)目。此外，鎵宏與以色列的VisIC、加拿大的Gan System（2023年3月被英飛凌收購(gòu)）兩家全球領(lǐng)先的氮化鎵大功率芯片設(shè)計(jì)公司建立起了技術(shù)與業(yè)務(wù)合作伙伴關(guān)系。目前，首條試驗(yàn)線(xiàn)已覆蓋了6英寸氮化鎵外延片生產(chǎn)、器件制造和應(yīng)用模組開(kāi)發(fā)等環(huán)節(jié)。除了自主研發(fā)功率芯片，還提供外延和器件代工業(yè)務(wù)。

根據(jù)《深圳市泰高技術(shù)有限公司與深圳鎵宏半導(dǎo)體有限公司戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》，泰高技術(shù)將成為深圳鎵宏半導(dǎo)體芯片制造的重要戰(zhàn)略合作伙伴。雙方將在硅基氮化鎵、碳化硅基氮化鎵和藍(lán)寶石基氮化鎵的外延片制造領(lǐng)域展開(kāi)長(zhǎng)期合作。深圳鎵宏半導(dǎo)體將全力支持泰高技術(shù)的氮化鎵射頻與功率芯片的工藝研發(fā)，并提供長(zhǎng)期、穩(wěn)定、優(yōu)質(zhì)的外延片服務(wù)。雙方還將在工程上相互支持，共同討論需求和產(chǎn)能計(jì)劃，加深合作。這些合作內(nèi)容將有助于推動(dòng)產(chǎn)品化進(jìn)程，并對(duì)企業(yè)的可持續(xù)發(fā)展和產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力產(chǎn)生積極影響。

協(xié)議的簽署對(duì)于雙方來(lái)說(shuō)具有重要的意義和積極的影響。首先，該合作將建立起深圳泰高技術(shù)與深圳鎵宏半導(dǎo)體之間緊密的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，雙方將共同致力于推動(dòng)氮化鎵射頻和功率芯片的研發(fā)和創(chuàng)新。通過(guò)結(jié)合泰高技術(shù)在發(fā)射機(jī)模塊和功率模塊領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)，以及鎵宏半導(dǎo)體在高功率氮化鎵芯片制造及外延片服務(wù)方面的專(zhuān)業(yè)知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)，雙方將共同努力推動(dòng)產(chǎn)品平臺(tái)技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，從而提升企業(yè)的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。

其次，該合作對(duì)于泰高技術(shù)的產(chǎn)品平臺(tái)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展具有重要意義。通過(guò)借助鎵宏半導(dǎo)體在氮化鎵外延片提供方面的優(yōu)勢(shì)，泰高技術(shù)能夠擁有長(zhǎng)期、穩(wěn)定、優(yōu)質(zhì)的外延片服務(wù)，從而加強(qiáng)其產(chǎn)品制造的可持續(xù)發(fā)展能力。此外，雙方的工程支持和協(xié)作將進(jìn)一步推動(dòng)氮化鎵射頻和功率芯片的工藝研發(fā)，為泰高技術(shù)的產(chǎn)品化進(jìn)程提供有力支撐。

最后，該合作協(xié)議預(yù)計(jì)對(duì)深圳泰高技術(shù)未來(lái)年度的經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)產(chǎn)生積極的影響。通過(guò)與鎵宏半導(dǎo)體的戰(zhàn)略合作，泰高技術(shù)能夠進(jìn)一步擴(kuò)大其產(chǎn)品的品類(lèi)。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

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